薄膜電容具有無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣)，介質(zhì)損失很小等優(yōu)點(diǎn)，基于以上的優(yōu)點(diǎn)，薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。那么薄膜電容介質(zhì)的耐壓損傷是怎樣的呢？

由于電容介質(zhì)中局部弱點(diǎn)處的損耗D值很大，在不均勻的高場強(qiáng)下就會(huì)產(chǎn)生很大局部熱量而損傷介質(zhì)。而施加直流電壓時(shí)，熱量僅由漏電流產(chǎn)生，尤其對于新生產(chǎn)的電容器來說，一般其絕緣電阻很高，漏泄電流很小，造成局部過熱損傷的可能性非常小。

另外如果施加的交流電壓達(dá)到起始局部放電電壓值，局部放電會(huì)每半個(gè)周期就要重復(fù)和惡化而造成局部損傷。而在直流電壓下即使有起始局部放電，要等電荷消散后重新積聚才能產(chǎn)生局部放電。綜上可以得出，流耐壓對電容介質(zhì)可能造成嚴(yán)重?fù)p傷，而直流耐壓對于薄膜電容器基本可以說是無損傷檢測，或者至少是損傷很少的檢測方法。