電容器的失效是指電容器出現(xiàn)的故障。各種電子系統(tǒng)或者電子電路的重要組成部分一般是不同類型的元器件，當(dāng)它需要的元器件較多時(shí)，則標(biāo)志其設(shè)備的復(fù)雜程度就較高；反之，則低。一般還會(huì)把電路故障定義為：電路系統(tǒng)規(guī)定功能的喪失。根據(jù)不同的標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)失效的分類一般主要有以下幾種歸類法。

以失效原因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)：主要分為本質(zhì)失效、誤用失效、偶然失效、自然失效等。

以失效程度為標(biāo)準(zhǔn)：主要分為部分失效、完全失效。

以失效模式為標(biāo)準(zhǔn)：主要分為無功能、短路、開路等。

以失效后果的嚴(yán)重程度為標(biāo)準(zhǔn)：主要分為輕度失效、嚴(yán)重失效以及致命失效。

電容器的失效機(jī)理

電子元器件失效的機(jī)理也有不同分類，通常以其導(dǎo)致原因作為分類依據(jù)，主要可分為下面幾種失效機(jī)理。

1.表層劣化：元器件鈉離子遭污染然后造成溝道出現(xiàn)漏電、γ輻射有損、表面蠕變或擊穿等；

2.設(shè)計(jì)問題造成的劣化：指單子元器件的電路、版圖以及結(jié)構(gòu)等方面出現(xiàn)的設(shè)計(jì)問題；

3.內(nèi)部劣化：是指由CMOS 閉鎖效應(yīng)、二次擊穿、重金屬玷污、中子輻射損傷以及材料問題所引發(fā)的瞬間功率過載、結(jié)構(gòu)性能退化等；

4.使用不當(dāng)引起的損壞：指電浪涌損傷、靜電損傷、過高溫度造成的破壞、干擾信號(hào)導(dǎo)致的故障等；

5.金屬化系統(tǒng)劣化：是指電子元器件內(nèi)的鋁電遷移、鋁腐蝕、鋁缺口等；

6.封裝劣化：是指管腿出現(xiàn)腐蝕、漏氣或殼內(nèi)有外來物導(dǎo)致短路或漏電等;