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Y1電容器Y5P-150K-400VAC

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Y1電容器Y5P-150K-400VAC詳細參數(shù)

所屬分類:安規(guī)Y電容器
產(chǎn)品型號:Y5P-150K-400VAC
溫度特性:Y5P
電容量:15pF
標準偏差:K±10%
本體直徑:6.5mm
本體厚度:4mm
本體高度:9.5mm
引線間距:10mm
引線長度:3~25mm
引線直徑:0.55mm
包封長度:2.5mm
額定電壓:400VAC
耐壓:4000V
更新時間:
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● 產(chǎn)品展示

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● 應用領域

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● 產(chǎn)品參數(shù)

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● 用途及特點

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● 安規(guī)認證

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● 產(chǎn)品編碼

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● 規(guī)格尺寸

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● 印字說明

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● 溫度系數(shù)

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● 材料組成

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● 工藝流程

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● 工廠展示

公司簡介

● 訂購須知

工廠展示
  • Y1電容器Y5P-150K-400VAC相關信息

半密封陶瓷電容器在高濕度環(huán)境條件下工作時,發(fā)生擊穿失效是比較普遍的嚴重問題。所發(fā)生的擊穿現(xiàn)象大約可以分為介質(zhì)擊穿和表面極間飛弧擊穿兩類。

介質(zhì)擊穿按發(fā)生時間的早晚又可分為早期擊穿與老化擊穿兩種,早期擊穿暴露了電容介質(zhì)材料與生產(chǎn)工藝方面存在的問題,這些問題導致陶瓷介質(zhì)介電強度顯著降低,以至于在高濕度環(huán)境的電場作用下,電容器在耐壓試驗過程中或工作初期,就產(chǎn)生電擊穿。

老化擊穿大多屬于電化學擊穿范疇。由于陶瓷電容器銀的遷移,陶瓷電容器的老化擊穿已成為相當普遍的問題。漏電流局部增大,可引起熱擊穿,使電容器斷裂或燒毀。熱擊穿現(xiàn)象多發(fā)生在管形或圓片形的小型瓷介質(zhì)電容器中,因為擊穿時局部發(fā)熱嚴重。

此外,以二氧化鈦為主的陶瓷介質(zhì)中,負荷條件下還可能產(chǎn)生二氧化鈦的還原反應,使鈦離子由四價變?yōu)槿齼r。陶瓷介質(zhì)的老化顯著降低了電容器的介電強度,可能引起電容器擊穿。

高濕度環(huán)境中陶瓷介質(zhì)表面凝有水膜,使陶瓷電容器邊緣表面電暈放電電壓顯著下降,工作條件下產(chǎn)生表面極間飛弧現(xiàn)象。嚴重時導致陶瓷電容器表面極間飛弧擊穿。表面擊穿與電容結構、極間距離、負荷電壓、保護層的疏水性與透濕性等因素有關。

邊緣表面極間飛弧擊穿的主要原因是,介質(zhì)留邊量較小,在潮濕環(huán)境中工作時的銀離子遷移和表面水膜形成使電容器邊緣表面絕緣由于銀離子遷移的產(chǎn)生與發(fā)展需要一段時間,所以在耐壓試驗初期,失效模式以介質(zhì)擊穿為主,直到試驗500h以后,只要失效模式才過度為邊緣表面極間飛弧擊穿。

關鍵詞:Y1電容器150K400VAC15pFY5P10%,Y電容150K,Y1電容

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