瓷片電容技術(shù)的發(fā)展歷程：

1900年意大利L.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容；

30年代末人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數(shù)成倍增長(zhǎng)，因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容；

1940年前后人們發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)在的瓷片電容技術(shù)參數(shù) 的主要原材料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性后，開(kāi)始將瓷片電容技術(shù)參數(shù)使用于對(duì)既小型、精度要求又極高的軍事用電子設(shè)備當(dāng)中。

1960年左右陶瓷疊片電容作為商品開(kāi)始開(kāi)發(fā)。

1970年，隨著混合IC、計(jì)算機(jī)、以及便攜電子設(shè)備的進(jìn)步也隨之迅速的發(fā)展起來(lái)，瓷片電容成為電子設(shè)備中不可缺少的零部件，而其中技術(shù)參數(shù)也是學(xué)者們研究的重點(diǎn)。

現(xiàn)在的陶瓷介質(zhì)電容的全部數(shù)量約占電容市場(chǎng)的70%左右。

因?yàn)樘沾山橘|(zhì)電容的絕緣體材料主要使用陶瓷，其基本構(gòu)造是將陶瓷和內(nèi)部電極交相重疊。陶瓷材料有幾個(gè)種類(lèi)。自從考慮電子產(chǎn)品無(wú)害化特別是無(wú)鉛化后，高介電系數(shù)的PB（鉛）退出瓷片電容技術(shù)參數(shù)領(lǐng)域，現(xiàn)在主要使用TiO2(二氧化鈦)、 BaTiO3, CaZrO3(鋯酸鈣)等。和其它的電容相比具有體積小、容量大、耐熱性好、適合批量生產(chǎn)、價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。

由于原材料豐富，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，價(jià)格低廉，而且電容量范圍較寬（一般有幾個(gè)到上百），損耗較小，電容量溫度系數(shù)可根據(jù)要求在很大范圍內(nèi)調(diào)整。

瓷片電容技術(shù)參數(shù)品種繁多，外形尺寸相差甚大從0402（約1×0.5）封裝的貼片電容到大型的功率瓷片電容。按使用的介質(zhì)材料特性可分為Ⅰ型、Ⅱ型和半導(dǎo)體瓷片電容 ；按無(wú)功功率大小可分為低功率、高功率瓷片電容；按工作電壓可分為低壓和高壓瓷片電容 ；按結(jié)構(gòu)形狀可分為圓片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、疊片、獨(dú)石、塊狀、支柱式、穿心式等。

瓷片電容的分類(lèi)：

瓷片電容技術(shù)參數(shù)從介質(zhì)類(lèi)型主要可以分為兩類(lèi)，即Ⅰ類(lèi)瓷片電容技術(shù)參數(shù)和Ⅱ類(lèi)瓷片電容技術(shù)參數(shù)。

Ⅰ類(lèi)瓷片電容技術(shù)參數(shù)（ClassⅠ ceramic capacitor），過(guò)去稱(chēng)高頻瓷片電容技術(shù)參數(shù) （High-freqency ceramic capacitor），是指用介質(zhì)損耗小、絕緣電阻高、介電常數(shù)隨溫度呈線(xiàn)性變化的陶瓷介質(zhì)制造的電容。它特別適用于諧振回路，以及其它要求損耗小和電容量穩(wěn)定的電路，或用于溫度補(bǔ)償。

Ⅱ類(lèi)瓷片電容技術(shù)參數(shù)（Class Ⅱ ceramic capacitor）過(guò)去稱(chēng)為為低頻瓷片電容技術(shù)參數(shù) （Low frequency cermic capacitor），指用鐵電陶瓷作介質(zhì)的電容，因此也稱(chēng)鐵電瓷片電容技術(shù)參數(shù) 。這類(lèi)電容的比電容大，電容量隨溫度呈非線(xiàn)性變化，損耗較大，常在電子設(shè)備中用于旁路、耦合或用于其它對(duì)損耗和電容量穩(wěn)定性要求不高的電路中。

常見(jiàn)的Ⅱ類(lèi)瓷片電容技術(shù)參數(shù)有： X7R、 X5R 、 Y5V、Z5U

其中：X7R表示為：第一位X為最低工作溫度-55℃，第二位的數(shù)字7位最高工作溫度+125℃，第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差15%；

X5R表示為：第一位X為最低工作溫度-55℃，第二位的數(shù)字5位最高工作溫度+85℃，第三位字母R為隨溫度變化的容值偏差15%；

Y5V表示為：第一位Y為最低工作溫度-30℃，第二位的數(shù)字5位最高工作溫度+85℃，第三位字母V為隨溫度變化的容值偏差+22%，-82%15%。

Z5U表示為：第一位Z為最低工作溫度+10℃，第二位的數(shù)字5位最高工作溫度+85℃，第三位字母U為隨溫度變化的容值偏差+22%，-56%。