● 產(chǎn)品展示
● 應(yīng)用領(lǐng)域
● 產(chǎn)品參數(shù)
● 用途及特點
● 安規(guī)認(rèn)證
● 產(chǎn)品編碼
● 規(guī)格尺寸
● 印字說明
● 溫度系數(shù)
● 材料組成
● 工藝流程
● 工廠展示
● 訂購須知
陶瓷電容器不僅可以耐高溫、耐腐蝕,而且有較高的介電常數(shù),這對當(dāng)前集成電路對電容器小型化、高容量的要求是很適宜的。電容器的性能直接取決于陶瓷介質(zhì)的性能,材料介電常數(shù)越大,抗電強(qiáng)度越高,則小型化程度越好。因此制造廠家在圍繞提高瓷料性能和發(fā)展新材料方面競相在積極開展工作。
人們開發(fā)出使用高介電常數(shù)的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極的方法制成陶瓷電容,這種做法的陶瓷電容介電常數(shù)高,但損耗大。雖然介電常數(shù)高對于減小電容器的尺寸極為有利,但損耗大將會引起瓷片發(fā)熱,從而導(dǎo)致電容器的擊穿。
陶瓷電容器的介質(zhì)損耗主要由三部分組成:
1、玻璃相中的電導(dǎo)損耗這部分損耗主要是由玻璃中的離子引起的電導(dǎo)損耗。
2、晶相中的損耗它主要是由于晶界附近的晶格容易產(chǎn)生畸變和晶格問題,因而產(chǎn)生弱聯(lián)系離子造成松池?fù)p耗。
3、結(jié)構(gòu)不均勻性導(dǎo)致的附加夾層損耗。要降低電容器的介質(zhì)損耗,主要是減小弱聯(lián)系離子和弱束縛電子,目前的技術(shù)仍在研究發(fā)展著。
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