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安規(guī)陶瓷電容器廠家-東莞市瓷谷電子科技有限公司

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Y1電容器Y5P-821K-400VAC

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Y1電容器Y5P-821K-400VAC詳細(xì)參數(shù)

所屬分類:安規(guī)Y電容器
產(chǎn)品型號:Y5P-821K-400VAC
溫度特性:Y5P
電容量:820pF
標(biāo)準(zhǔn)偏差:K±10%
本體直徑:11mm
本體厚度:4.5mm
本體高度:14mm
引線間距:10mm
引線長度:3~25mm
引線直徑:0.58mm
包封長度:2.5mm
額定電壓:400VAC
耐壓:4000V
更新時間:
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● 產(chǎn)品展示

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● 應(yīng)用領(lǐng)域

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● 產(chǎn)品參數(shù)

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● 用途及特點

用途及特點

● 安規(guī)認(rèn)證

安規(guī)認(rèn)證

● 產(chǎn)品編碼

產(chǎn)品編碼

● 規(guī)格尺寸

規(guī)格尺寸

● 印字說明

印字說明

● 溫度系數(shù)

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● 材料組成

材料組成

● 工藝流程

工藝流程

● 工廠展示

公司簡介

● 訂購須知

工廠展示
  • Y1電容器Y5P-821K-400VAC相關(guān)信息

陶瓷電容器不僅可以耐高溫、耐腐蝕,而且有較高的介電常數(shù),這對當(dāng)前集成電路對電容器小型化、高容量的要求是很適宜的。電容器的性能直接取決于陶瓷介質(zhì)的性能,材料介電常數(shù)越大,抗電強(qiáng)度越高,則小型化程度越好。因此制造廠家在圍繞提高瓷料性能和發(fā)展新材料方面競相在積極開展工作。

人們開發(fā)出使用高介電常數(shù)的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極的方法制成陶瓷電容,這種做法的陶瓷電容介電常數(shù)高,但損耗大。雖然介電常數(shù)高對于減小電容器的尺寸極為有利,但損耗大將會引起瓷片發(fā)熱,從而導(dǎo)致電容器的擊穿。

陶瓷電容器的介質(zhì)損耗主要由三部分組成:

1、玻璃相中的電導(dǎo)損耗這部分損耗主要是由玻璃中的離子引起的電導(dǎo)損耗。

2、晶相中的損耗它主要是由于晶界附近的晶格容易產(chǎn)生畸變和晶格問題,因而產(chǎn)生弱聯(lián)系離子造成松池?fù)p耗。

3、結(jié)構(gòu)不均勻性導(dǎo)致的附加夾層損耗。要降低電容器的介質(zhì)損耗,主要是減小弱聯(lián)系離子和弱束縛電子,目前的技術(shù)仍在研究發(fā)展著。

關(guān)鍵詞:Y1電容器821K400VAC820pFY5P10%,Y電容821K,Y1電容

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