陶瓷電容器損耗因素與頻率的關(guān)系：第一類陶瓷介質(zhì)電容器的損耗因素隨著頻率的上升而增加，第一類介質(zhì)的C0G介質(zhì)的損耗因素與電容量、頻率的關(guān)系，由于電容量的增加容抗減小，使電容器在同樣的頻率下?lián)p耗因素隨電容量的增加而變大。相同電容量的電容器損耗因數(shù)隨頻率增加而變大。實(shí)際上C0G介質(zhì)的介質(zhì)損耗在應(yīng)用頻率內(nèi)不隨頻率變化。       

    損耗因素隨頻率增加的原因是：在電容器的端電壓不變的條件下測(cè)量損耗因素時(shí)，隨著頻率的增加，電容器電流隨之增加，因而在電容器的ESR產(chǎn)生的損耗也隨之增加。當(dāng)頻率高過(guò)某一數(shù)值后，由ESR產(chǎn)生的損耗成為主要損耗，這時(shí)的損耗因素將隨頻率線性上升。

    第二類陶瓷介質(zhì)電容器的損耗因素隨頻率的變化特性與第一類介質(zhì)基本相似，不再贅述。