圖1所示的高壓陶瓷電容器20組成包括:圓柱形的陶瓷介質(zhì)材料22,比如BaTiO3系或SrTiO3系介質(zhì);陶瓷介質(zhì)22的上下表面形成Ag電極24和26,電極24和26的直徑比陶瓷介質(zhì)22的直徑小;在電極24和26 邊沿周圍形成環(huán)狀的還原劑層28和30;陶瓷介質(zhì)的環(huán)形還原區(qū)32和34分別作在還原劑層28和30附近的陶瓷介質(zhì)22表面上。外電極36通過焊料層38焊到電極24的中間部分;同樣地，外電極40經(jīng)焊料層42焊至電極26的中間部分。用絕緣樹脂44模塑,露出外電極36和40的外表面。圖1所示的高壓陶瓷電容器制造特點如下所述。

    (1)制電極如圖2A所示，將以Ag粉和玻璃料為主成分的導(dǎo)電漿料，用絲網(wǎng)印刷的類似方法，在陶瓷介質(zhì)22的表面上，印制一定厚度的、直徑比陶瓷介質(zhì)直徑較小的導(dǎo)電層，先在大約150C溫度下烘干，然后通過一個最高溫區(qū)為860C的爐子燒滲，其時間為10~15 h,  即制成Ag電極。

    (2)制作還原區(qū)  還原劑漿料的主要成分，例如質(zhì)量比近似為: 80%AI 粉，20%玻璃。印制還原劑漿料呈環(huán)形狀，其環(huán)的外直徑比電極直徑大，而環(huán)的內(nèi)直徑又要比電極直徑小，在大約150C溫度下烘干后，再將陶瓷介質(zhì)22放進最高溫度為830~860C的爐中燒結(jié)2h。當燒結(jié)時，漿料中的Al粉將陶瓷介質(zhì)表面的一部分還原了，這樣便形成環(huán)形狀的還原區(qū)32和34.此外，由于Al粉被B-Si-Pb玻璃蓋住，與空氣隔絕，所以，Al粉幾乎不會與空氣中的氧發(fā)生氧化反應(yīng)。經(jīng)燒結(jié)后的還原區(qū)32和34的電阻率降到10n●cm或更低，而還原前的電阻率為1012~101* n●cm。

    (3)焊外電極如圖 2C所示。在電極24和26的中間，分別焊上外電極36和40，再用樹脂44模塑包封,這樣便制成了高壓陶瓷電容器。

    此外，在印制導(dǎo)電漿料之后和加熱之前，可在陶瓷介質(zhì)22露出來的部分涂覆還原劑，這樣，在加熱烘滲Ag電極的同時，也就形成了還原區(qū)32和34。

    上述陶瓷電容器與普通的陶瓷電容器(如圖4所示之擊穿情況比較結(jié)果如下表所示。
    上表的數(shù)據(jù)表示擊穿電壓比值，它是以測量圖3所示的單個電容器擊穿電壓作為1,外電極用導(dǎo)電膠粘上的，而集中電容器測量的擊穿電壓比值，是計算出來的每一個電容器的擊穿電壓，這是測量多個電容器經(jīng)串并聯(lián)方式連接時的情況。

    按照此方法生產(chǎn)的電容器，幾乎達到或完全等于圖4所示的玻璃處理過的AI電極高壓陶瓷電容器的擊穿電壓水平。另外，單個電容器測量的擊穿電壓值也幾乎等于多個電容器測量的擊穿電壓值。

    雖然已詳細闡述本發(fā)明方法，且結(jié)合具體實例和圖示，使之更加清楚，但是沒有限制范圍，因此，  我們將提出本發(fā)明權(quán)項要求的實質(zhì)和范圍。(權(quán)項要求略)